PSMN3R8-100BS,118 与 IPB042N10N3GATMA1 区别
| 型号 | PSMN3R8-100BS,118 | IPB042N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN3R8-100BS,118 | A-IPB042N10N3GATMA1 |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 214W(Tc) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 306W | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 8410pF @ 50V |
| 输出电容 | 660pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263-2 |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 120A | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3.5V @ 150uA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 117nC @ 10V |
| 输入电容 | 9900pF | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 4.2 毫欧 @ 50A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 100A(Tc) |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 3.9mΩ@10V | - |
| 漏源电压(Vdss) | - | 100V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN3R8-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRF100S201 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 441W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@115A,10V N-Channel 100V 192A TO-263AB |
暂无价格 | 10 | 对比 |
|
AOB290L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPB042N10N3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-263-2 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRLS4030TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLS4030PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
