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PSMN3R8-100BS,118  与  IRF100S201  区别

型号 PSMN3R8-100BS,118 IRF100S201
唯样编号 A-PSMN3R8-100BS,118 A-IRF100S201
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2mΩ@115A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 306W 441W(Tc)
输出电容 660pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 192A
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 9900pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9500pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 255nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.9mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9500pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 255nC @ 10V
库存与单价
库存 0 10
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
210+ :  ¥20.0457
400+ :  ¥16.9879
800+ :  ¥15.5852
暂无价格
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¥20.0457 

阶梯数 价格
210: ¥20.0457
400: ¥16.9879
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