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R6004ENJTL  与  SPB04N60S5  区别

型号 R6004ENJTL SPB04N60S5
唯样编号 A-R6004ENJTL A-SPB04N60S5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@1.5A,10V 950mΩ
上升时间 22ns 30ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 58W 50W
Qg-栅极电荷 15nC -
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 55ns 60ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id 4A 4.5A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
系列 SuperJunction-MOSEN CoolMOSS5
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single Single
长度 - 10mm
下降时间 40ns 15ns
典型接通延迟时间 22ns 55ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
220+ :  ¥6.9093
1,000+ :  ¥4.3805
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3

¥6.9093 

阶梯数 价格
220: ¥6.9093
1,000: ¥4.3805
0 当前型号
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D2PAK

暂无价格 13,000 对比
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SPB04N60S5ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比

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