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R6004ENJTL  与  STB6NK60ZT4  区别

型号 R6004ENJTL STB6NK60ZT4
唯样编号 A-R6004ENJTL A3-STB6NK60ZT4
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@1.5A,10V -
上升时间 22ns -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 58W -
Qg-栅极电荷 15nC -
栅极电压Vgs ±20V -
典型关闭延迟时间 55ns -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-263-3 TO-263-3
连续漏极电流Id 4A -
工作温度 -55°C~150°C -
系列 SuperJunction-MOSEN -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 40ns -
典型接通延迟时间 22ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
220+ :  ¥6.9093
1,000+ :  ¥4.3805
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3

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阶梯数 价格
220: ¥6.9093
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