RE1C002UNTCL 与 RUE002N02TL 区别
| 型号 | RE1C002UNTCL | RUE002N02TL | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-RE1C002UNTCL | A32-RUE002N02TL-1 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | RE1C002UN Series 20 V 1.2 Ohm 200 mA Surface Mount Small Signal Mosfet - EMT-3F | MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 150mW(Ta) | ||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2Ω@100mA,2.5V | 1.2Ω@200mA,2.5V | ||||||||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW(Ta) | - | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 25pF @ 10V | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | EMTF | EMT3 | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.2A | 200mA(Ta) | ||||||||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 1V @ 1mA | ||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | - | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 25pF @ 10V | - | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.2V,2.5V | - | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 1.2V,2.5V | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 237 | 41,634 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RE1C002UNTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 150mW(Ta) 1.2Ω@100mA,2.5V 150°C(TJ) EMTF N-Channel 20V 0.2A |
￥0.5893
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237 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N-Channel 20V EMT3 200mA(Ta) ±8V 1.2Ω@200mA,2.5V |
暂无价格 | 138,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N-Channel 20V EMT3 200mA(Ta) ±8V 1.2Ω@200mA,2.5V |
￥2.0622
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41,634 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N-Channel 20V EMT3 200mA(Ta) ±8V 1.2Ω@200mA,2.5V |
￥1.0342
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29,900 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N-Channel 20V EMT3 200mA(Ta) ±8V 1.2Ω@200mA,2.5V |
￥0.5424
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27,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N-Channel 20V EMT3 200mA(Ta) ±8V 1.2Ω@200mA,2.5V |
￥1.0342
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5,647 | 对比 |
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