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RF4E075ATTCR  与  IRFHS8342TRPBF  区别

型号 RF4E075ATTCR IRFHS8342TRPBF
唯样编号 A-RF4E075ATTCR A-IRFHS8342TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 16 mO 4.2 nC SMT HexFet Power MosFet - PQFN 2 x 2 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.7mΩ@7.5A,10V 16mΩ@8.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerUDFN 8-PQFN(2x2)
连续漏极电流Id 7.5A(Ta) 8.8A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 15V 600pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V 8.7nC @ 10V
库存与单价
库存 46 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.8221
100+ :  ¥3.3652
1,500+ :  ¥2.1335
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E075ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerUDFN

¥5.8221 

阶梯数 价格
1: ¥5.8221
100: ¥3.3652
1,500: ¥2.1335
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570: ¥0.4558
1,000: ¥0.3533
1,500: ¥0.2896
3,000: ¥0.2563
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1,000: ¥1.1707
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3,000: ¥0.8645
0 对比

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