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RF4E075ATTCR  与  PMEG4010CEAX  区别

型号 RF4E075ATTCR PMEG4010CEAX
唯样编号 A-RF4E075ATTCR A-PMEG4010CEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 肖特基(SBD)二极管
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr - 40V
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.7mΩ@7.5A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 8-PowerUDFN SOD-323
反向漏电流Ir - 8uA
连续漏极电流Id 7.5A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃
反向峰值电压Vrrm - 40V
正向电压Vf - 0.84V
尺寸 - 1.7 x 1.25 x 0.95
正向电流If - 1A
正向浪涌电流Ifsm - 8A
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
二极管电容 - 24pF@VR=1V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
库存与单价
库存 46 2
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥5.8221
100+ :  ¥3.3652
1,500+ :  ¥2.1335
570+ :  ¥0.4558
1,000+ :  ¥0.3533
1,500+ :  ¥0.2896
3,000+ :  ¥0.2563
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E075ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerUDFN

¥5.8221 

阶梯数 价格
1: ¥5.8221
100: ¥3.3652
1,500: ¥2.1335
46 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 肖特基(SBD)二极管

PMEG4010CEA_SOD-323

¥0.4558 

阶梯数 价格
570: ¥0.4558
1,000: ¥0.3533
1,500: ¥0.2896
3,000: ¥0.2563
2 对比
IRFHS8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(2x2)

暂无价格 0 对比
SSM6J505NU,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

6-UDFNB(2x2)

暂无价格 0 对比
PMPB27EPAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB27EPA_SOT1220

¥1.8148 

阶梯数 价格
590: ¥1.8148
1,000: ¥1.4068
1,500: ¥1.1531
3,000: ¥1.0579
0 对比
PMPB48EP,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB48EP_SOT1220

¥1.5102 

阶梯数 价格
580: ¥1.5102
1,000: ¥1.1707
1,500: ¥0.9596
3,000: ¥0.8645
0 对比

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