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RQ3E100BNTB  与  AON6414A  区别

型号 RQ3E100BNTB AON6414A
唯样编号 A-RQ3E100BNTB A-AON6414A
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.4mΩ@10A,10V 8mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 31W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 5x6
连续漏极电流Id 10A(Ta) 30A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 502
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥5.2236
100+ :  ¥3.0192
1,500+ :  ¥1.9142
3,000+ :  ¥1.384
1+ :  ¥1.2051
100+ :  ¥0.9592
1,000+ :  ¥0.6912
1,500+ :  ¥0.5949
3,000+ :  ¥0.47
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥5.2236 

阶梯数 价格
1: ¥5.2236
100: ¥3.0192
1,500: ¥1.9142
3,000: ¥1.384
100 当前型号
AON7752 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
2,500: ¥0.6329
5,000: ¥0.5
4,722 对比
AON6414A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥1.2051 

阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 对比
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