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RQ3E100BNTB  与  DMG7430LFG-7  区别

型号 RQ3E100BNTB DMG7430LFG-7
唯样编号 A-RQ3E100BNTB A-DMG7430LFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.4mΩ@10A,10V 11mΩ
上升时间 - 21.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.2W
Qg-栅极电荷 - 26.7nC
栅极电压Vgs ±20V 2.5V
典型关闭延迟时间 - 22.3ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI
连续漏极电流Id 10A(Ta) 10.5A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMG7430
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleTripleSourceQuadDrain
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1281pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 5.1ns
典型接通延迟时间 - 5.2ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.2236
100+ :  ¥3.0192
1,500+ :  ¥1.9142
3,000+ :  ¥1.384
暂无价格
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1: ¥5.2236
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