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RQ3E100GNTB  与  NTTFS4929NTWG  区别

型号 RQ3E100GNTB NTTFS4929NTWG
唯样编号 A-RQ3E100GNTB A-NTTFS4929NTWG
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ -
上升时间 4.3ns -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
Qg-栅极电荷 7.9nC -
栅极电压Vgs 2.5V -
典型关闭延迟时间 22.4ns -
正向跨导 - 最小值 8S -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 HSMT-8 8-WDFN(3.3x3.3)
连续漏极电流Id 10A -
工作温度 -55°C~150°C -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 3.1ns -
典型接通延迟时间 8.4ns -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.1656
100+ :  ¥2.4077
1,500+ :  ¥1.5265
3,000+ :  ¥1.1036
暂无价格
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1: ¥4.1656
100: ¥2.4077
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