RQ3E100MNTB1 与 AON7432 区别
| 型号 | RQ3E100MNTB1 | AON7432 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RQ3E100MNTB1 | A-AON7432 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 上升时间 | 17ns | - |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - | 2.5V,10V |
| Qg-栅极电荷 | 9.9nC | - |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | - |
| FET 类型 | - | N 通道 |
| 封装/外壳 | HSMT-8 | 8-PowerVDFN |
| 连续漏极电流Id | 10A | - |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | Single | - |
| 漏源电压（Vdss） | - | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | - | 10.5A(Ta),18A(Tc) |
| 下降时间 | 6ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 8.8mΩ | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 813pF @ 15V |
| 功率耗散Pd | 2W | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 31ns | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | - | 15 毫欧 @ 10.5A,10V |
| Vgs（最大值） | - | ±12V |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 3.1W(Ta),20.8W(Tc) |
| 典型接通延迟时间 | 7ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
￥1.188
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5,937 | 对比 | ||||||||||
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AON7430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.331
|
3,375 | 对比 | ||||||||||
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
￥0.5539
|
691 | 对比 | ||||||||||
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IRFH3707TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AON7432 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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