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RQ3E130BNTB  与  AON7400B  区别

型号 RQ3E130BNTB AON7400B
唯样编号 A-RQ3E130BNTB A-AON7400B
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@13A,10V 7.5 mΩ @ 18A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 4.1W(Ta),24W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-DFN-EP(3x3)
连续漏极电流Id 13A(Ta) 18A(Ta),40A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg - 26nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
库存与单价
库存 84 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.297
100+ :  ¥3.6397
1,500+ :  ¥2.3076
3,000+ :  ¥1.6684
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.297 

阶梯数 价格
1: ¥6.297
100: ¥3.6397
1,500: ¥2.3076
3,000: ¥1.6684
84 当前型号
AON6368 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥2.5385 

阶梯数 价格
1: ¥2.5385
100: ¥2.0204
1,000: ¥1.4559
1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
3,000 对比
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