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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN 5x6 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 52A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 27W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.1mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 9.5mΩ | |
| VGS(th) | 2.2 | |
| Ciss(pF) | 820 | |
| Coss(pF) | 340 | |
| Crss(pF) | 40 | |
| Qg*(nC) | 6.1 | |
| Qgd(nC) | 2 | |
| Td(on)(ns) | 6.5 | |
| Td(off)(ns) | 17 | |
| Trr(ns) | 11 | |
| Qrr(nC) | 19 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
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交期： 3天-5天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| SVS70R900DE3TR | 17,500 |
| GP3134K | 8,000 |
| IPB107N20N3 G | 7,000 |
| WST4045 | 3,650 |
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