RQ3E130BNTB 与 NVTFS4C10NTAG 区别
| 型号 | RQ3E130BNTB | NVTFS4C10NTAG | ||||||||
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| 唯样编号 | A-RQ3E130BNTB | A-NVTFS4C10NTAG | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6mΩ@13A,10V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 8-WDFN(3.3x3.3) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 13A(Ta) | - | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 84 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E130BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 13A(Ta) ±20V 2W(Ta) 6mΩ@13A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥6.297
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84 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON6368 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 52A 27W 6.1mΩ@10V |
￥2.5385
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AON7466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±25V 30A 25W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NTTFS4821NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NVTFS4C10NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NVTFS4C08NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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