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RS1G300GNTB  与  BSC026N04LSATMA1  区别

型号 RS1G300GNTB BSC026N04LSATMA1
唯样编号 A-RS1G300GNTB A-BSC026N04LSATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@30A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),35W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2300pF @ 20V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 30A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.6 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 23A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4230pF @ 20V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56.8nC @ 10V -
库存与单价
库存 71 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥25.4278
100+ :  ¥13.8836
1,000+ :  ¥8.4967
2,500+ :  ¥5.2
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