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RS1G300GNTB  与  BSZ025N04LS  区别

型号 RS1G300GNTB BSZ025N04LS
唯样编号 A-RS1G300GNTB A-BSZ025N04LS
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@30A,10V 2.5mΩ@20A,10V
上升时间 - 7ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),35W(Tc) 69W
Qg-栅极电荷 - 37nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 55S
典型关闭延迟时间 - 27ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 30A(Ta) 40A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS5
长度 - 3.3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 6ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4230pF @ 20V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56.8nC @ 10V -
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 71 5,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥25.4278
100+ :  ¥13.8836
1,000+ :  ¥8.4967
2,500+ :  ¥5.2
暂无价格
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