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RS1L151ATTB1  与  BSO613SPVGXUMA1  区别

型号 RS1L151ATTB1 BSO613SPVGXUMA1
唯样编号 A-RS1L151ATTB1 A-BSO613SPVGXUMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF MOSFET N/P-CH 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 3W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6900 pF @ 30 V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 8-PowerTDFN -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 130 nC @ 10 V -
工作温度 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11.3 毫欧 @ 15A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 56A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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