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RS1L151ATTB1  与  NDS9407  区别

型号 RS1L151ATTB1 NDS9407
唯样编号 A-RS1L151ATTB1 A-NDS9407
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF P-Channel 60 V 150 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 3W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150m Ohms@3A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6900 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-SOIC
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 130 nC @ 10 V -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3A
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 732pF @ 30V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11.3 毫欧 @ 15A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 56A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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