RS6P060BHTB1 与 BSC098N10NS5 区别
| 型号 | RS6P060BHTB1 | BSC098N10NS5 | ||||
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| 唯样编号 | A-RS6P060BHTB1 | A-BSC098N10NS5 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET | 系列:OptiMOS™ | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 73W | 69W | ||||
| 宽度 | - | 5.15mm | ||||
| 上升时间 | - | 5ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 22nC | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 28S | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 17ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | PG-TDSON-8-7 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 60A | 60A | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 系列 | - | OptiMOS™ | ||||
| 长度 | - | 5.9mm | ||||
| 下降时间 | - | 4ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 10ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 10.6mΩ@60A,10V | 9.8mΩ@30A,10V | ||||
| 高度 | - | 1.27mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 95 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥13.2013
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95 | 当前型号 | ||||||||||
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BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSC098N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAKSO-8 |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||
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SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.964
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6,349 | 对比 | ||||||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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