首页 > 商品目录 > > > > RS6P060BHTB1代替型号比较

RS6P060BHTB1  与  SI7454FDP-T1-RE3  区别

型号 RS6P060BHTB1 SI7454FDP-T1-RE3
唯样编号 A-RS6P060BHTB1 A-SI7454FDP-T1-RE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) PowerPAK®SO-8 Single
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 60A 23.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.6mΩ@60A,10V 29.5mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 73W 39W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 95 30
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 当前型号
BSC098N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC098N10NS5ATMA1_100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7

暂无价格 5,000 对比
SI7456DDP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),35.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 27.8A 23mΩ 2.8V

¥6.204 

阶梯数 价格
9: ¥6.204
100: ¥5.17
750: ¥4.785
1,500: ¥4.554
3,000: ¥4.378
23,887 对比
SI4058DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥2.618 

阶梯数 价格
20: ¥2.618
100: ¥2.013
1,250: ¥1.749
2,500: ¥1.683
6,697 对比
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC

¥5.445 

阶梯数 价格
10: ¥5.445
100: ¥4.532
1,250: ¥4.125
2,328 对比
SI4056ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.9A(Ta),8.3A(Tc) N-Channel 29.2 mOhms @ 5.9A,10V 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥2.937 

阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.255
427 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消