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RSD175N10TL  与  DMN10H170SK3Q-13  区别

型号 RSD175N10TL DMN10H170SK3Q-13
唯样编号 A-RSD175N10TL A-DMN10H170SK3Q-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3 MOSFET N-CH 100V 12A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 140mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 25V 1167 pF @ 25 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.7 nC @ 10 V
封装/外壳 CPT3 TO-252-3
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 12A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 105 毫欧 @ 8.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 17.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD175N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

暂无价格 0 当前型号
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
IRLR3410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
RD3P175SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
DMN10H170SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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