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RSH070N05TB1  与  RSS070P05TB1  区别

型号 RSH070N05TB1 RSS070P05TB1
唯样编号 A-RSH070N05TB1 A-RSS070P05TB1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2W -
功率耗散(最大值) - 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ@7A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4100pF @ 10V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
栅极电压Vgs 20V -
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SOP
连续漏极电流Id 7A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) 150°C
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 27 毫欧 @ 7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 45V -
FET类型 N-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 45V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.8nC -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 47.6nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSH070N05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽)

暂无价格 0 当前型号
FDS8449 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比
RSH070N05GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
RSS070P05TB1 ROHM Semiconductor 通用MOSFET

8-SOP

暂无价格 0 对比

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