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RSJ400N06FRATL  与  STB60NF06LT4  区别

型号 RSJ400N06FRATL STB60NF06LT4
唯样编号 A-RSJ400N06FRATL A-STB60NF06LT4
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.35 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ 14mΩ@30A,10V
正向跨导-最小值 - 20 S
上升时间 60ns 220 ns
Qg-栅极电荷 52nC -
栅极电压Vgs 1V ±15V
封装/外壳 D2PAK-3 D2PAK
连续漏极电流Id 40A,40A 60A
工作温度 - -65°C~175°C(TJ)
配置 Single Single
长度 - 10.4 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
下降时间 140ns 30 ns
高度 - 4.6 mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 50W 110W(Tc)
典型关闭延迟时间 90ns 55 ns
FET类型 - N-Channel
通道数量 1Channel 1 Channel
系列 - STB
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 20ns 35 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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