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RSR025P03TL  与  FDN358P  区别

型号 RSR025P03TL FDN358P
唯样编号 A-RSR025P03TL A3-FDN358P
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1W(Ta) -
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 125 毫欧 @ 1.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 460pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TSMT3 SuperSOT
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1.5A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 98 毫欧 @ 2.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 182pF @ 15V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(Ta)
FET类型 P 通道 P-Channel
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 182pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.6nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.6nC @ 10V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSR025P03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT3

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FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

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