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SCT3080ALGC11  与  IPW60R125CFD7XKSA1  区别

型号 SCT3080ALGC11 IPW60R125CFD7XKSA1
唯样编号 A-SCT3080ALGC11 A-IPW60R125CFD7XKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3080AL Series 650 V 30 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 92W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 104mΩ@10A,18V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 134W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1503pF @ 400V
栅极电压Vgs +22V,-4V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247N TO-247-3
工作温度 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 30A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 390uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 5mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 571pF @ 500V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 18V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 125 毫欧 @ 7.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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