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SCT3080ALGC11  与  IPW60R125CP  区别

型号 SCT3080ALGC11 IPW60R125CP
唯样编号 A-SCT3080ALGC11 A-IPW60R125CP
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3080AL Series 650 V 30 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 104mΩ@10A,18V 110mΩ
Qg-栅极电荷 - 70nC
栅极电压Vgs +22V,-4V 20V
封装/外壳 TO-247N -
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 30A 25A
配置 - Single
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V 10V
下降时间 - 5ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2500pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.1mA
高度 - 21.1mm
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 134W(Tc) 208W
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCE
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 5mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 571pF @ 500V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 18V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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