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SI3932DV-T1-GE3  与  QS6K1TR  区别

型号 SI3932DV-T1-GE3 QS6K1TR
唯样编号 A-SI3932DV-T1-GE3 A32-QS6K1TR-4
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Si3932DV Series Dual N-Channel 30 V 58 mOhm 1.4 W SMT Power Mosfet - TSOP-6 N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TSOP-6 TSMT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.7A 1A
系列 TrenchFET® -
Rds On(Max)@Id,Vgs 47mΩ 238mΩ@1A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 15V 77pF @ 10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.25W
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6nC @ 10V 2.4nC @ 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 9,703
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥2.894
50+ :  ¥2.2711
100+ :  ¥1.7153
200+ :  ¥1.7057
500+ :  ¥1.2458
1,000+ :  ¥1.1978
3,000+ :  ¥1.0939
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3932DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ

暂无价格 0 当前型号
PMGD175XNEX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT363 N-Channel 0.26W 150°C 1V,12V 30V 0.95A

暂无价格 15,000 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

¥2.894 

阶梯数 价格
5: ¥2.894
50: ¥2.2711
100: ¥1.7153
200: ¥1.7057
500: ¥1.2458
1,000: ¥1.1978
3,000: ¥1.0939
9,703 对比
NTJD4001NT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-363

¥0.9196 

阶梯数 价格
60: ¥0.9196
200: ¥0.7073
1,500: ¥0.6149
3,000: ¥0.572
8,110 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

¥7.0907 

阶梯数 价格
10: ¥7.0907
100: ¥4.1901
500: ¥3.7871
1,000: ¥3.3842
3,000: ¥2.8202
5,990 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

¥7.0907 

阶梯数 价格
10: ¥7.0907
100: ¥4.1901
500: ¥3.7871
1,000: ¥3.3842
3,000: ¥2.8202
5,990 对比

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