SI4435DYTRPBF 与 DMP3036SSS-13 区别
| 型号 | SI4435DYTRPBF | DMP3036SSS-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4435DYTRPBF | A3-DMP3036SSS-13 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | 1.4W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 8A | 11.4A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2320pF @ 15V | 1931pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | 16.5nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2320pF @ 15V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 20mΩ@8A,10V | 20mΩ@9A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4435DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@8A,10V P-Channel 30V 8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥1.729
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18,390 | 对比 | ||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.872
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3,945 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3036SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.4W(Ta) 20mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 11.4A |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||
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AO4411 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.1024
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2,001 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥0.9887
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64 | 对比 |
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