首页 > 商品目录 > > > > SI4435DYTRPBF代替型号比较

SI4435DYTRPBF  与  AOSP21321  区别

型号 SI4435DYTRPBF AOSP21321
唯样编号 A-SI4435DYTRPBF A36-AOSP21321
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2.5W(Ta) 3.1W
漏源极电压Vds 30V -30V
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 8A -11A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2320pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2320pF @ 15V -
导通电阻Rds(On) 20mΩ@8A,10V 17mΩ@11A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 18,390
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.729
100+ :  ¥1.326
750+ :  ¥1.1102
1,500+ :  ¥1.0088
3,000+ :  ¥0.936
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4435DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@8A,10V P-Channel 30V 8A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥1.729 

阶梯数 价格
30: ¥1.729
100: ¥1.326
750: ¥1.1102
1,500: ¥1.0088
3,000: ¥0.936
18,390 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

¥1.872 

阶梯数 价格
30: ¥1.872
100: ¥1.443
750: ¥1.1999
1,500: ¥1.092
3,000: ¥1.0127
3,875 对比
DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.4W(Ta) 20mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 11.4A

暂无价格 2,500 对比
AO4411 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥1.1024 

阶梯数 价格
50: ¥1.1024
200: ¥0.8476
1,500: ¥0.7358
1,951 对比
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥0.9887 

阶梯数 价格
60: ¥0.9887
64 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售