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SI4840BDY-T1-GE3  与  AO4484L  区别

型号 SI4840BDY-T1-GE3 AO4484L
唯样编号 A-SI4840BDY-T1-GE3 A-AO4484L
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 40 V 0.009 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ 10 mΩ @ 10A,10V
漏源极电压Vds 3V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),6W(Tc) 1.7W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 19A 10A(Ta)
系列 SI4 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 37nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥4.504
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOIC-8

¥4.504 

阶梯数 价格
2,500: ¥4.504
2,500 当前型号
FDS4470 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比
AO4484L AOS 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
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HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比

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