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SI4925DDY-T1-GE3  与  STS4DPF30L  区别

型号 SI4925DDY-T1-GE3 STS4DPF30L
唯样编号 A-SI4925DDY-T1-GE3 A-STS4DPF30L
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOIC-8 SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 7.3A -
系列 TrenchFET® -
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 15V -
漏源极电压Vds 3V -
Pd-功率耗散(Max) 5W -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
FET类型 P-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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