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SI4925DDY-T1-GE3  与  DMP3056LSD-13  区别

型号 SI4925DDY-T1-GE3 DMP3056LSD-13
唯样编号 A-SI4925DDY-T1-GE3 A3-DMP3056LSD-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 Dual P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOIC-8 SOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.3A 6.9A
系列 TrenchFET® -
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ 45mΩ@6A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 15V 722pF @ 25V
漏源极电压Vds 3V 30V
Pd-功率耗散(Max) 5W 2.5W
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V 13.7nC @ 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
库存与单价
库存 0 5,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4925DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOIC-8

暂无价格 0 当前型号
DMP3056LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

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STS4DPF30L STMicro  数据手册 通用MOSFET

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