SI4925DDY-T1-GE3 与 DMP3056LSD-13 区别
| 型号 | SI4925DDY-T1-GE3 | DMP3056LSD-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4925DDY-T1-GE3 | A3-DMP3056LSD-13 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | Dual P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SOP |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 7.3A | 6.9A |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 29mΩ | 45mΩ@6A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1350pF @ 15V | 722pF @ 25V |
| 漏源极电压Vds | 3V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 5W | 2.5W |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | 13.7nC @ 10V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 50 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
5W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.3A 29mΩ 3V |
暂无价格 | 50 | 当前型号 |
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STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
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STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
45mΩ@6A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 6.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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