SI7617DN-T1-GE3 与 DMG7401SFG-7 区别
| 型号 | SI7617DN-T1-GE3 | DMG7401SFG-7 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI7617DN-T1-GE3 | A36-DMG7401SFG-7 | ||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET | -30V 9.8A 13mO P-ch POWERDI3333 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 零件号别名 | SI7617DN-GE3 | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.3mΩ | 11mΩ@12A,20V | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) | 940mW(Ta) | ||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±25V | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | PowerPak1212-8 | PowerDI | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 35A | 9.8A | ||||
| 系列 | SI | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 15V | 2987pF @ 15V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 59nC @ 10V | 58nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,20V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 130 | 310 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SI7617DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 30V 35A 12.3mΩ |
暂无价格 | 130 | 当前型号 | ||||||
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DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±25V 940mW(Ta) 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 30V 9.8A |
￥2.068
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310 | 对比 | ||||||
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AON7401 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AON7401 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V |
￥2.3793
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0 | 对比 | ||||||
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DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 940mW(Ta) 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 30V 9.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 940mW(Ta) 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 30V 9.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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