SI7852DP-T1-GE3 与 RS6N120BHTB1 区别
| 型号 | SI7852DP-T1-GE3 | RS6N120BHTB1 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-SI7852DP-T1-GE3 | A32-RS6N120BHTB1-1 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 1.9W(Ta) | 104W | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | HSOP8 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 7.6A(Ta) | ±135A | ||||||||
| 系列 | SI | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA(最小) | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA(最小) | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 16.5mΩ@10A,10V | 3.3m Ohms | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,500 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥13.7532
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥15.4085
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1,579 | 对比 | ||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 对比 | ||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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