SIHFR1N60A-GE3 与 STD1NK60T4 区别
| 型号 | SIHFR1N60A-GE3 | STD1NK60T4 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHFR1N60A-GE3 | A36-STD1NK60T4 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.4A(Tc) | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7 Ohms @ 840mA,10V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 36W(Tc) | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||||||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,671 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHFR1N60A-GE3 | Vishay | 功率MOSFET |
1.4A(Tc) N-Channel 7 Ohms @ 840mA,10V 36W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
|
STD1NK60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥1.881
|
2,671 | 对比 | ||||||||||
|
|
STD1NK60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
|
|
STD1NK60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
STD1NK60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
