首页 > 商品目录 > > > > SIHFR1N60A-GE3代替型号比较

SIHFR1N60A-GE3  与  STD1NK60T4  区别

型号 SIHFR1N60A-GE3 STD1NK60T4
唯样编号 A-SIHFR1N60A-GE3 A3t-STD1NK60T4
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252 TO-252-3
连续漏极电流Id 1.4A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7 Ohms @ 840mA,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 36W(Tc) -
Vgs(最大值) ±30V -
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHFR1N60A-GE3 Vishay 功率MOSFET

1.4A(Tc) N-Channel 7 Ohms @ 840mA,10V 36W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V

暂无价格 0 当前型号
STD1NK60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥1.881 

阶梯数 价格
30: ¥1.881
100: ¥1.441
1,250: ¥1.254
2,500: ¥1.177
2,671 对比
STD1NK60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 2,500 对比
STD1NK60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
STD1NK60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售