SIJ4108DP-T1-GE3 与 RS6P100BHTB1 区别
| 型号 | SIJ4108DP-T1-GE3 | RS6P100BHTB1 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-SIJ4108DP-T1-GE3 | A32-RS6P100BHTB1-3 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | HSOP8 (Single) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 100A | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 5.9mΩ@90A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 104W | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,500 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SIJ4108DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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PSMN8R7-100YSFX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 198W 175°C 3.1V 100V 90A |
暂无价格 | 15 | 对比 | ||||||||||||
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PSMN8R7-100YSFX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 198W 175°C 3.1V 100V 90A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥26.7512
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥25.7572
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥12.8919
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2,500 | 对比 |
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