SIJ4108DP-T1-GE3 与 PSMN8R7-100YSFX 区别
| 型号 | SIJ4108DP-T1-GE3 | PSMN8R7-100YSFX |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIJ4108DP-T1-GE3 | A3t-PSMN8R7-100YSFX |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | SOT669 |
| 工作温度 | - | 175°C |
| 连续漏极电流Id | - | 90A |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| 输入电容 | - | 2758pF |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 198W |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 9mΩ@10V |
| 输出电容 | - | 532pF |
| 栅极电压Vgs | - | 3.1V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SIJ4108DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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PSMN8R7-100YSFX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 198W 175°C 3.1V 100V 90A |
暂无价格 | 15 | 对比 | ||||||||||||||||||
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PSMN8R7-100YSFX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 198W 175°C 3.1V 100V 90A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥26.4283
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1,960 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
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97 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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