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SIJA72ADP-T1-GE3  与  RS6G100BGTB1  区别

型号 SIJA72ADP-T1-GE3 RS6G100BGTB1
唯样编号 A-SIJA72ADP-T1-GE3 A-RS6G100BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 27.9A(Ta),96A(Tc) 100A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.42 mOhms @ 10A,10V 3.4mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 4.8W(Ta),56.8W(Tc) 59W
Vgs(最大值) +20V,-16V -
Vgs(th) 2.4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 40 100
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥10.1972
100+ :  ¥5.0986
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 40 当前型号
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥16.7237 

阶梯数 价格
1: ¥16.7237
100: ¥8.3619
64 对比

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