SIR122DP-T1-RE3 与 RS6N120BHTB1 区别
| 型号 | SIR122DP-T1-RE3 | RS6N120BHTB1 |
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| 唯样编号 | A-SIR122DP-T1-RE3 | A-RS6N120BHTB1 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | HSOP8 |
| 功率耗散Pd | 5.2W(Ta),65.7W(Tc) | 104W |
| 连续漏极电流Id | 16.7A(Ta),59.6A(Tc) | ±135A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 7.4 mOhms @ 10A,10V | 3.3m Ohms |
| Vgs(th) | 3.8V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SIR122DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
16.7A(Ta),59.6A(Tc) N-Channel 7.4 mOhms @ 10A,10V 5.2W(Ta),65.7W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥13.7532
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥15.4085
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1,579 | 对比 | ||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 对比 | ||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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