SIS4604LDN-T1-GE3 与 RH6L040BGTB1 区别
| 型号 | SIS4604LDN-T1-GE3 | RH6L040BGTB1 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-SIS4604LDN-T1-GE3 | A32-RH6L040BGTB1-1 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | HSMT8 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 59W | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 65A | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 7.1mΩ@40A,10V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SIS4604LDN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® 1212-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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PXN012-60QLJ | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
MLPAK33 N-Channel 17.6mΩ@10A,4.5V 34.7W -55°C~150°C ±20V 60V 42A |
￥5.2404
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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PXN012-60QLJ | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
MLPAK33 N-Channel 17.6mΩ@10A,4.5V 34.7W -55°C~150°C ±20V 60V 42A |
￥7.0745
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2,349 | 对比 | ||||||||||||
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PXN012-60QLJ | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
MLPAK33 N-Channel 17.6mΩ@10A,4.5V 34.7W -55°C~150°C ±20V 60V 42A |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||||||||||
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PXN012-60QLJ | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
MLPAK33 N-Channel 17.6mΩ@10A,4.5V 34.7W -55°C~150°C ±20V 60V 42A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
￥8.2661
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3,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
