SP8M10FRATB 与 IRF7319TRPBF 区别
| 型号 | SP8M10FRATB | IRF7319TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SP8M10FRATB | A-IRF7319TRPBF |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Double HexFet -30/30 V 2 W 33/34 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 29mΩ@5.8A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 2W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 25mOhm@7A,10V,56mOhm@4.5A,10V | - |
| 栅极电压Vgs | 2.5V@1mA | - |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 7A(Ta),4.5A(Ta) | 6.5A,4.9A |
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 33nC @ 10V |
| 栅极电荷Qg | 8.4nC,8.5nC@5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 650pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 33nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SP8M10FRATB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
7A(Ta),4.5A(Ta) N+P-Channel 2.5V@1mA 2W(Ta) 8-SOIC 150°C 30V 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF7319TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5.8A,10V 2W N+P-Channel 30V 6.5A,4.9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7319PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
29mΩ@5.8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N+P-Channel 30V 6.5A,4.9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF9389TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 27mΩ@6.8A,10V 2W N+P-Channel 30V 6.8A,4.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7389TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5.8A,10V 2.5W N+P-Channel 30V 7.3A,5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7389PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5.8A,10V 2.5W N+P-Channel 30V 7.3A,5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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