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SP8M10FRATB  与  IRF9389TRPBF  区别

型号 SP8M10FRATB IRF9389TRPBF
唯样编号 A-SP8M10FRATB A-IRF9389TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N/P-Channel ±30 V 27/64 mO 2 W HEXFET Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@6.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 25mOhm@7A,10V,56mOhm@4.5A,10V -
栅极电压Vgs 2.5V@1mA -
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 7A(Ta),4.5A(Ta) 6.8A,4.6A
工作温度 150℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 398pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
栅极电荷Qg 8.4nC,8.5nC@5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 398pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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