首页 > 商品目录 > > > > SPA20N60CFDXKSA1代替型号比较

SPA20N60CFDXKSA1  与  STF22NM60N  区别

型号 SPA20N60CFDXKSA1 STF22NM60N
唯样编号 A-SPA20N60CFDXKSA1 A3-STF22NM60N
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-FP STF22NM60N Series 600 V 0.22 Ohm 16 A MDmesh™ II Power MOSFET - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 35W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 220mΩ
上升时间 - 18ns
Qg-栅极电荷 - 44nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 3V
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 124nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 16A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 220 毫欧 @ 13.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 38ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 30W
典型关闭延迟时间 - 74ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
系列 - STF22NM60N
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 20.7A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
典型接通延迟时间 - 11ns
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPA20N60CFDXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA20N60CFD_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
STF18NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 2,000 对比
STF22NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 800 对比
STF18NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
TK290A60Y,S4X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220SIS

暂无价格 0 对比
STF22NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售