STD7NM80 与 IPD65R950C6 区别
| 型号 | STD7NM80 | IPD65R950C6 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STD7NM80 | A-IPD65R950C6 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 950mΩ@1.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 700V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 37W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 4.5A |
| 系列 | - | CoolMOS™ C6 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 328pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15.3nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STD7NM80 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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IPD65R950C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 37W(Tc) 950mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 4.5A |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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IPD65R950CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 3.9A 855mΩ 20V 36.7W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥7.2923
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2,150 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD950A70 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 700V 20V 5A 56.5W 950mΩ@1A,10V -55°C~150°C |
￥3.6735
|
1,990 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥7.2923
|
1,649 | 对比 |
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