STD7NM80 与 R6004ENDTL 区别
| 型号 | STD7NM80 | R6004ENDTL | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-STD7NM80 | A33-R6004ENDTL-0 | ||||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK | MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) | ||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 250pF @ 25V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N 通道 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | CPT3 | ||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 980 毫欧 @ 1.5A,10V | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 4A(Tc) | ||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 15nC @ 10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,150 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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STD7NM80 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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IPD65R950C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 37W(Tc) 950mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 4.5A |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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IPD65R950CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 3.9A 855mΩ 20V 36.7W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥7.2923
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2,150 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD950A70 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 700V 20V 5A 56.5W 950mΩ@1A,10V -55°C~150°C |
￥3.6735
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1,990 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥7.2923
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1,649 | 对比 |
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