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ZXMN3A01FTA  与  XP151A11B0MR-G  区别

型号 ZXMN3A01FTA XP151A11B0MR-G
唯样编号 A-ZXMN3A01FTA A-XP151A11B0MR-G
制造商 Diodes Incorporated Torex Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 120mΩ@2.5A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) 500mW(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) - 4.5V,10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-23 SOT23
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) - 120 毫欧 @ 500mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 25V -
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) - 1A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 150pF @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥1.0209 

阶梯数 价格
580: ¥1.0209
1,000: ¥0.7914
1,500: ¥0.6487
3,000: ¥0.5844
0 对比
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

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XP151A11B0MR-G Torex Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT23

暂无价格 0 对比

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