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BSH111BKR  与  2N7002K-T1-GE3  区别

型号 BSH111BKR 2N7002K-T1-GE3
唯样编号 A3-BSH111BKR A-2N7002K-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 364 mW 0.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.60mm
Rds On(Max)@Id,Vgs -
Qg-栅极电荷 - 0.4nC
栅极电压Vgs ±10V 1V
正向跨导 - 最小值 - 100mS
封装/外壳 SOT23 SOT-23
工作温度 150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.21A 300mA
配置 - Single
输入电容 19.1pF -
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
高度 - 1.45mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 0.302W 0.35W
输出电容 2.7pF -
典型关闭延迟时间 - 35ns
FET类型 N-Channel -
系列 - 2N7002K
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 30pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.6nC @ 4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 4Ω@200mA,4.5V -
典型接通延迟时间 - 25ns
库存与单价
库存 0 200
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH111BKR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.302W 150°C ±10V 55V 0.21A

暂无价格 0 当前型号
ZVN3306FTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 330mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 150mA(Ta)

¥0.9009 

阶梯数 价格
60: ¥0.9009
200: ¥0.6941
1,500: ¥0.6028
3,000: ¥0.561
9,766 对比
BS870Q-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 300mW ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 250mA(Ta) 车规

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
2,716 对比
SN7002N H6433 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

60V 200mA 5Ω 10V 0.36W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 3,000 对比
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 200 对比

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