DMG6602SVT-7 与 FDC6333C 区别
| 型号 | DMG6602SVT-7 | FDC6333C |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMG6602SVT-7 | A3-FDC6333C |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 正向跨导-最小值 | 4 S | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@3.1A,10V | 95m Ohms@2.5A,10V |
| 上升时间 | 5 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 840mW | 700mW |
| Qg-栅极电荷 | 9 nC | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns | - |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | TSOT-23 | SuperSOT |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.4A,2.8A | 2.5A/2A |
| 系列 | DMG | PowerTrench® |
| 通道数量 | 2 Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 400pF @ 15V | 282pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13nC @ 10V | 6.6nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 3 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AO6601 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V 12V 3.4A 1.15W 60mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C |
￥0.8029
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0 | 对比 | ||||
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AO6601 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V 12V 3.4A 1.15W 60mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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