DMG6602SVT-7 与 AO6601 区别
| 型号 | DMG6602SVT-7 | AO6601 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMG6602SVT-7 | A36-AO6601 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 正向跨导-最小值 | 4 S | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@3.1A,10V | 60mΩ@3.4A,10V | ||||||
| 上升时间 | 5 ns | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 840mW | 1.15W | ||||||
| Qg-栅极电荷 | 9 nC | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | 12V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns | - | ||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TSOT-23 | TSOP-6 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.4A,2.8A | 3.4A | ||||||
| 系列 | DMG | - | ||||||
| 通道数量 | 2 Channel | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 400pF @ 15V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13nC @ 10V | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 3 ns | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,829 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AO6601 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V 12V 3.4A 1.15W 60mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C |
￥0.8029
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0 | 对比 | ||||
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AO6601 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V 12V 3.4A 1.15W 60mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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